TỐI ƯU HÓA ĐA MỤC TIÊU CÁC THÔNG SỐ CÔNG NGHỆ TRONG XUNG ĐỊNH HÌNH CÓ BỘT TITAN TRỘN VÀO DUNG DỊCH ĐIỆN MÔI BẰNG TOPSIS - TAGUCHI

Tóm tắt

Trong bài báo này, hai chỉ tiêu: nhám bề mặt (R_a) và độ cứng tế vi lớp bề mặt (HV) của bề mặt gia công bằng phương pháp xung định hình với bột Titan (Ti) trộn vào dung dịch điện môi đã được lựa chọn để tối ưu hóa đa mục tiêu các thông số công nghệ. Phương pháp Taguchi và phương pháp Topsis được kết hợp với nhau để giải bài toán tối ưu đa mục tiêu. Các thông số công nghệ gồm vật liệu phôi, vật liệu điện cực, sự phân cực điện cực, thời gian phát xung, thời gian ngừng phát xung, cường độ dòng điện, nồng độ bột titan (Ti) của quá trình gia công đã được lựa chọn để tối ưu hóa. Kết quả cho thấy, bột Ti trộn vào dung dịch điện môi đã nâng cao hiệu quả tối ưu hóa đa mục tiêu trong phương pháp xung định hình. Bộ thông số tối ưu đa mục tiêu: SKT4, Cu(-), T_on = 5ms, I = 4A, T_of = 57ms, nồng độ bột Ti là 20g/l với trị số tối ưu là R_a = 1,45mm và HV = 649,5HV. Lớp bề mặt tại điều kiện tối ưu cũng được phân tích và cho kết quả tốt.