TỔNG HỢP DÂY NANO Ga2O3/GaAs (100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP HƠI LỎNG RẮN SỬ DỤNG XÚC TÁC HẠT NANO Ag

Tóm tắt

Dây nano Ga2O3
trên đế GaAs (100) đã được nghiên cứu chế tạo thành công bằng
phương pháp hơi lỏng rắn (VLS) sử dụng xúc tác hạt nano Ag qua hai quá trình gia nhiệt
(T1, T2). Bằng phương pháp đồng kết tủa trong dung dịch HF/AgNO3,
hạt nano Ag có
đường kính 30 - 70nm được lắng đọng lên đế GaAs (100). Với sự có mặt của hạt nano Ag,
dây nano Ga2O3 được hình thành trên đế GaAs (100) trong dải nhiệt độ từ 750 - 820o
C tại
chân không 10–3
Torr, gần nhiệt độ cùng tinh eutectic (Te.) của hợp chất Ag-GaAs. Đường
kính của dây nano nhận được thay đổi trong khoảng từ 35nm đến 45nm và độ dài từ vài
chục nm đến vài trăm m phụ thuộc vào đường kính hạt Ag và thời gian tổng hợp tại
nhiệt độ T2. Kết quả khảo sát hình thái học, cấu trúc, thành phần và phổ tán xạ Raman
cho thấy dây nano Ga2O3/GaAs (100) thu được có chất lượng tốt. Từ các kết quả nhận được,
hướng sử dụng xúc tác Ag mới trong chế tạo dây nano bằng phương pháp VLS ứng dụng
trong các linh kiện nano hiệu năng cao được đề xuất.