Tính hệ số ettingshausen trong dây lượng tử dưới ảnh hưởng của phonon giam cầm (cơ chế tán xạ điện tử-phonon quang giam cầm)

Tóm tắt

: Áp dụng phương pháp phương trình động học lượng tử để tính biểu thức giải tích hệ số Ettingshausen (EC) dưới ảnh hưởng của phonon giam cầm. Bài toán được nghiên cứu trong dây lượng tử với sự có mặt của điện trường, từ trường và sóng điện từ không đổi (EMW) với giả thiết tán xạ điện tử- phonon quang (OP) được coi là trội. EC thu được phụ thuộc phức tạp vào nhiều tham số đặc trưng như nhiệt độ, từ trường, tần số hoặc biên độ của EMW và số lượng tử ????₁, ????₂ đặc trưng cho sự giam cầm của OP. Kết quả tính số cho dây lượng tử GaAs/GaAsAl (CQW) cho thấy sự khác biệt so với cả hai trường hợp bán dẫn khối và dây lượng tử với phonon không bị giam cầm. Kết quả khảo sát sự phụ thuộc của EC vào từ trường đã chỉ ra số lượng tử ????₁, ????₂thay đổi điều kiện cộng hưởng, không chỉ làm tăng số lượng đỉnh cộng hưởng mà còn thay đổi vị trí của nó. Khi ????₁, ????₂ tiến tới 0, kết quả tương ứng với các kết quả trong trường hợp OP không giam cầm.