Nghiên cứu chế tạo chấm lượng tử graphene ứng dụng làm lớp truyền lỗ trống trong pin mặt trời hữu cơ
Từ khóa:
chấm lượng tử, graphene, thủy nhiệt vi sóng, pin mặt trời hữu cơ, lớp truyền lỗ trống
Tóm tắt
Trong bài báo này chúng tôi đã nghiên cứu và chế tạo chấm lượng tử graphene (GQDs) bằng phương pháp Hummer cải tiến kết hợp khử NH3. Đường kính chấm lượng tử thu được khoảng 6 nm, được ứng dụng làm lớp truyền lỗ trống trong pin mặt trời hữu cơ, nhằm tăng hiệu suất lượng tử của pin mặt trời. GQDs thân thiện với môi trường, được chế tạo ở nhiệt độ thấp, có thể cô cạn thành dạng bột và hòa tan tốt trong các dung môi phân cực. Chấm lượng tử graphene với cấu trúc không chiều (0D) có công thoát phù hợp với vật liệu polymer dẫn đã làm tăng dòng đoản mạch (từ 2,41 mA/cm2 lên 4,38 mA/cm2 ) cho pin mặt trời chuyển tiếp dị thể làm tăng hiệu suất so với cấu trúc pin truyền thống.