ẢNH HƯỞNG CỦA NGUYÊN TỐ Sb ĐẾN TÍNH CHẤT QUANG CỦA MÀNG Ge/Si ĐỒNG PHA TẠP Sb VÀ P

Tóm tắt

Cấu trúc vùng năng lượng của Ge có thể bị thay đổi nếu tạo ra một ứng suất căng và pha tạp điện tử trong màng Ge. Điều này làm cho khả năng phát quang của Ge được cải thiện đáng kể. Trong bài báo này, chúng tôi đề xuất một cách tiếp cận mới để tăng nồng độ các nguyên tố pha tạp trong mạng nền Ge bằng kỹ thuật đồng pha tạp từ hai nguồn rắn GaP và Sb.  Màng Ge được lắng đọng trên đế Si (100) bằng phương pháp epitaxy chùm phân tử MBE (Molecular Beam Epitaxy). Phép đo phổ nhiễu xạ điện tử phản xạ năng lượng cao RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction) được dùng để đánh giá chất lượng bề mặt của mẫu cũng như chất lượng tinh thể của màng Ge. Ảnh hưởng của nguyên tố pha tạp thứ hai (Sb) tới cấu trúc và tính chất quang của màng Ge được tập trung nghiên cứu. Nhiệt độ của nguồn Sb được khảo sát trong khoảng 257-300^oC và nhiệt độ tăng trưởng được thay đổi từ 140-230^oC. Khả năng phát quang của lớp Ge được khảo sát bằng thiết bị đo phổ huỳnh quang. Phép đo hiệu ứng Hall được sử dụng để xác định mật độ điện tử đã kích hoạt trong màng Ge. Trên nền vật liệu Ge pha tạp điện tử mật độ cao, diode phát quang đã được nghiên cứu, chế tạo và khảo sát các tính chất quang điện đặc trưng.