Nâng cao một số các tính chất điện và quang của màng pha tạp silic vô định hình ứng dụng chế tạo pin mặt trời chuyển tiếp dị thể

Tóm tắt

Nâng cao tính chất điện và quang của lớp phát trong cấu trúc pin mặt trời chuyển tiếp dị thể là giải pháp then chốt nhằm nâng cao dòng ngắn mạch (I_SC) và thế hở mạch (V_OC) hay nâng cao hiệu suất pin. Yêu cầu kỹ thuật của lớp phát trong cấu trúc pin là phải làm từ vật liệu có độ rộng vùng cấm lớn, sai hỏng bề mặt thấp và độ dẫn điện cao. Trong báo cáo này, màng silic vô định hình pha tạp loại N được chế tạo bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học tăng cường plasma (PECVD) với tỉ lệ hidro pha loãng silan (H₂/SiH₄+H₂) từ 90 % đến 97 %, đồng thời cố định các thông số khác như áp suất, nhiệt độ đế, công suất plasma và nồng độ pha tạp. Dựa vào một số tính chất đặc trưng của màng như: độ rộng vùng cấm quang, phần trăm tinh thể hiện diện trong màng và độ dẫn điện của màng, các thông số lắng đọng màng được tối ưu hóa tại tỉ lệ 96 % hidro pha loãng silan. Pin mặt trời được chế tạo dựa trên điều kiện này với cấu trúc chuyển tiếp một phía Al/c-Si(P)/N+/lưới Al thu được kết quả với  thế mở (V_OC) là 0,48 V và dòng ngắn mạch (I_OC) là 17 mA.